時(shí) 間:2018年10月18日(星期四)上午10:00?
地 點(diǎn):寧夏大學(xué)賀蘭山校區(qū)科技樓A610室
報(bào)告人:祁東晨博士 昆士蘭科技大學(xué)
澳大利亞國(guó)家基金委杰出青年基金獲得者
報(bào)告題目:基于同步輻射的軟X射線(xiàn)能譜在界面表征中的應(yīng)用
報(bào)告摘要:
正如諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)獲得者Herbert Kroemer所言“Often, it may be said that the interface is the device”,界面構(gòu)成了現(xiàn)今半導(dǎo)體電子器件的核心。如何精確的對(duì)界面現(xiàn)象進(jìn)行表征成為了材料科學(xué)的一個(gè)難題。本報(bào)告將介紹報(bào)告人團(tuán)隊(duì)近期利用基于同步輻射的軟X射線(xiàn)能譜對(duì)界面表征的一系列工作,涵蓋對(duì)電子學(xué)和磁學(xué)結(jié)構(gòu)、化學(xué)態(tài)、能級(jí)排列、分子取向,以及亞飛秒量級(jí)界面電荷傳輸動(dòng)力學(xué)等重要界面信息的研究。具體包括:I表面電荷轉(zhuǎn)移摻雜(surface transfer doping)的技術(shù)及其在控制金剛石及其它低維材料表面電學(xué)性質(zhì)的應(yīng)用;II近邊X射線(xiàn)吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)譜(NEXAFS)在確定界面處有機(jī)共軛分子取向的應(yīng)用,及分子取向?qū)τ袡C(jī)半導(dǎo)體的影響;III芯能級(jí)空穴時(shí)鐘譜(core-hole clock spectroscopy)的新穎的軟X射線(xiàn)能譜技術(shù),及其在對(duì)界面處飛秒量級(jí)的超快電荷傳輸進(jìn)行動(dòng)力學(xué)表征方面的應(yīng)用。
歡迎廣大師生參加!
寧夏光伏材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
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2018年10月16日